美光內鬼攜密跳槽 聯電3主管遭起訴

上報快訊 2017年09月07日 14:00:00
中國晉華科技合作的聯華電子公司高層疑似洩密, 台中地檢署6日依違反《營業秘密法》等罪嫌,起訴聯電公司3主管。圖為聨電公司大樓。(圖片取自Summey Chang臉書)

中國晉華科技合作的聯華電子公司高層疑似洩密, 台中地檢署6日依違反《營業秘密法》等罪嫌,起訴聯電公司3主管。圖為聨電公司大樓。(圖片取自Summey Chang臉書)

中國為發展半導體產業,不惜到處挖腳,或甚至竊密,然而與中國晉華科技合作的聯華電子公司高層疑似洩密,造成記憶體大廠美商美光的技術遭竊。因此台中地檢署6日依違反《營業秘密法》等罪嫌,起訴聯電公司,及聯電協理戎樂天、美光前整合部課長何建廷、品質工程部副理王永銘等人。

 

聯電6日表示,公司對營業秘密的維護一向不遺餘力,客觀來說已經符合實務上避免侵害他人營業秘密的措施。然而,檢方對此案的認定標準是否符合現行實務,還須等法院依法檢驗;聯電也會配合司法程序,好以維護公司權益。

 

美商美光公司於2月提告,指控技術機密遭離職員工竊取。台中地檢署再經過一連串偵辦發現,聯電疑似為與中國晉華科技合作生產32奈米的DRAM,陸續向美光公司開出3倍薪資挖腳,其中包括2013年被美光併購的中科瑞晶公司的員工何建廷和王永銘。

 

受到高薪誘惑之下,何建廷2015年跳槽到聯電後,知情聯電正在研發32奈米DRAM製程技術,便複製在美光公司工作期間掌控的機密文件,然後帶往至聯電南科辦公室。但是何建廷是有與美光簽屬「聘僱契約」、「保密及使用著作財產權相關合約」等合約,所以他這麼做,已經違反相關保密條款。

 

而王永銘,他在2016年4月到4月26日正式從美光離職間,濫用其品質工程部副理的職權,逕自讀取大量美光的DRAM製造方法和營業秘密等。其後,王永銘與聯電協理戎樂天開始研究這些資料,讓聯電與晉華在2個月內,就順利開發出32奈米DRAM的設計規劃,王永銘因此升為經理。

 

美光發現機密遭竊後向他們提告,檢調便前往南科搜索何建廷和王永銘等人的辦公室等;戎樂天發現此事後,還秘密通知何建廷和王永銘,藏匿或刪除其檔案,甚至要求一名黃姓職員,把檔案藏在某處櫃子。該名黃姓成員,也因涉嫌《藏匿刑事證據罪》,獲緩起訴處分。

 

被告到案後宣稱,資料僅是供個人研究用,而戎樂天只是要他們提供研究意見;聯電則是辯稱,有對新員工承諾,不得將前雇主的機密資料帶過來,也提供了與智慧財產權有關課程。但是,針對聯電的回應,檢方認為聯電只是在做表面工夫,並未積極防止侵害他人營業秘密,因此聯電也是共犯。(林彥君/綜合報導)

 

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關鍵字: 聯電 跳槽 中國





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