曾於2019至2021年擔任中國紫光集團高級副總裁的坂本幸雄表示，中國長鑫存儲技術公司生產的DRAM與三星相比落後4代左右。中芯國際産品當中最細電路線寬也只是14奈米，這已是7、8年前的技術，台積電現正開發2奈米的産品。

坂本幸雄接受日經中文網訪問，被問到中國與世界頂尖水平的差距有多大，他指出，中國長鑫存儲技術（CXMT）在DRAM領域較三星落後4代左右。而NAND記憶卡領域，據稱中國頂尖的長江存儲科技（YMTC）將啟動儲存元件為128層的量産，雖啟動192層的試生産，但製造的數量過少，還不到談論競爭力的水平。

另外，在運算用邏輯晶片領域，中芯國際産品的最細電路線寬還只是14奈米，這已是7、8年前的技術。由於美國的制裁，中芯尚難引進尖端的生産設備，無法涉足高價值的處理器尖端領域。經營資源完全被用在增加14奈米以上的産能，如果缺乏在3、4年後追上台積電等龍頭企業的決心，差距會不斷擴大。

他表示，中國半導體生産達全世界15％。不過，其中英特爾等外資企業占6成，中國企業僅占4成。

協助中國半導體産業發展的出身台灣的人才，多為改善成品良率等方面的技術人才。中國缺乏從零開始創造價值的研發經驗，台積電和三星電子在技術實力上領先，他們都保持工序管理和研究開發工程師的平衡，應客戶要求確定半導體的功率等目標，開發電路設計和製造流程。