南韓三星電子30日宣布在華城的工廠正式開始量產「3奈米晶片」，超越台積電，成為全球第一間達到此里程碑的半導體工廠。三星指出，跟先前的5奈米製程相比，其第一代3奈米製程用電減少45%，性能提升23%，晶片表面積縮小16%；預計接下來的第二代3奈米製程，最高將可省電50%，性能提高30%，晶片面積則將減少35%。

台積電的3奈米（N3）製程，則預定於2022年下半年開始量產，「邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%」。

根據三星的新聞稿，其3奈米製程稱為「多橋通道場效電晶體」（Multi-Bridge-Channel FET , MBCFET），使用「環繞閘極技術」（Gate-All-Around, GAA），突破了「鰭式場效電晶體」（FinFET）的性能限制。它透過降低供應電壓位準，達到更高的功率效率，同時藉由增加驅動電流能力，提升性能。

韓聯社指出，三星持續跟各國夥伴合作，包含德國的西門子（Siemens）和美國的晶片設計公司新思科技（Synopsys）。今年5月，美國總統拜登造訪南韓期間，南韓總統尹錫悅和三星電子副會長李在鎔還親自陪同，帶領拜登參訪三星的平澤工廠，介紹3奈米製程。

In Seoul South Korea, President Biden tours model for Samsung New Texas Semiconductor Facility pic.twitter.com/6LOa9CuXeZ

— Howard Mortman (@HowardMortman) May 20, 2022

（延伸閱讀：拜登抵韓首訪三星晶圓廠 加強半導體合作組美韓技術同盟）

然而，據美國科技媒體The Verge引述彭博報導，三星現階段可能仍難以擊敗死對頭台積電，除非三星能證明其3奈米製程的成本效益具有競爭力。

日經亞洲則指出，三星目前以保密為由，尚未公布有哪些客戶已下訂單。