美國智庫資訊科技與創新基金會（ITIF）發布的一份分析報告，顯示中國雖然致力於實現自給自足、降低對外國的依賴；但其晶片設計和製造能力仍明顯落後美國及其盟國，先進半導體設備的製造能力更是落後5代。

這份ITIF的報告是艾澤爾（Stephen Ezell）撰寫，他指出在設計邏輯晶片方面，中國公司落後全球領先者約大約2年。而在記憶體晶片方面、以及半導體製造設備和封裝領域，中國企業積極新創新、試圖迎頭趕上，但仍然落後有數年差距。報告進一步深入提到，在這部分的差距顯得參差不齊，向中芯國際可能就落後世界領先的台積電大概5年差距；而製造半導體方面的光刻機，甚至也可能落後大約5代的差距。

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但是報告中也提到，中國在智慧財產權和創新方面取得顯著進步，專利申請量超過美國和日本。中國根據《專利合作條約》（PCT） 提交大量與晶片相關的國際專利申請，中國半導體產業在2020年獲得3400多項批准專利，而十年前僅為122項。不過，報告則指出，專利申請增加，許多並不代表是重大創新。中國企業似乎在價格上的競爭比在創新上的競爭更多。然而，就半導體產業研發（R&D）強度而言，中國的研發強度為7.6%，僅為美國（18.8%）的40%，也低於歐盟企業15%的水準。

ITIF這份報告總結，中國大力發展成熟的本土「閉環」半導體產業，激發了大量的創造力和創新，但在當前如此極其複雜的科技生態系統中，想自立於全球產業鏈外「單打獨鬥」的戰略對中國來說將是非常困難。