在美國制裁壓力下,中國半導體產業試圖自力更生。示意圖。(取自@ChinaDaily)
在美國試圖遏制中國發展半導體尖端技術之際,中國正傾全國之力打造供應鏈,並在技術上取得進展,降低對荷蘭先進晶片製造設備的依賴,讓中國晶片製程繼續突圍到5奈米。
南華早報引述消息人士報導,中國半導體公司「北方華創科技集團」等業者,從上月開始啟動開發新型微影技術的計畫,試圖在沒有荷蘭艾司摩爾(ASML)先進曝光機的情況下,打造出運算能力更強的5奈米晶片製程,而華為上月申請專利,顯示研發已有初步進展。
這些舉措都是在絕對保密的情況下進行,避免打草驚蛇引起美國注意。此前華為推出搭載7奈米手機時,就引起美國警覺,因為美國的出口管制理應讓中國無能力生產此製程的晶片。
當今的5奈米晶片幾乎都透過「極紫外光微影製程」(EUV)的曝光機生產,這是ASML獨霸的領域,且在出口限制下無法賣給中國。因此,中國企圖藉由發展「自對準四重成像」(SAQP)技術,讓晶片實質上達到5奈米的運算能力。
SAQP是多重曝光(Multiple patterning)技術的一種,可在晶圓上多次蝕刻線路,提高電晶體密度及晶片運算能力。中國希望藉由SAQP技術突破,能利用先進度不若EUV的「深紫外光微影製程」(DUV)曝光機來生產5奈米晶片。
SAQP技術牽涉到供應鏈上諸多業者,除了北方華創,華為、上海微電子、深圳新凱來都是其中的參與者,北方華創甚至還與「中微半導體」互相競爭,後者也致力於探索多重曝光技術,希望製造更先進的晶片。
北方華創等業者發展SAQP技術能否成功,仍是未知數,況且就算中國打造出5奈米晶片,也依然落後於台積電去年生產的3奈米晶片,並在艾斯摩爾的EUV設備下向2奈米推進。
华为和一家神秘的中国芯片制造合作伙伴正在开发一种低技术含量但可能有效的先进芯片制造方法。
— 暗戳戳发财 (@Nasdaqprinter) March 23, 2024
据专利申请显示,这些公司正在开发涉及自对准四重图案化(SAQP)的技术,这应该可以减少他们对高端光刻设备的依赖。这可能使他们无需ASML的先进极紫外(EUV)光刻设备就能生产先进芯片。… pic.twitter.com/d6P0VsWuRj